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IPI80P04P4L06AKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPI80P04P4L06AKSA1
Descrição: MOSFET P-CH TO262-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Fet tipo P-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) +5V, -16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max) 88W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO262-3-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6580pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 52 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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