IPI90R1K0C3XKSA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IPI90R1K0C3XKSA1 |
Descrição: | MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | CoolMOS™ |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tube |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.3A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 89W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | PG-TO262-3 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 900V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 100V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 5.7A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 58 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1