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IPL65R650C6SATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IPL65R650C6SATMA1
Descrição:	MOSFET N-CH 8TSON
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	CoolMOS™ C6
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 210µA
Temperatura operacional	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipação de energia (Max)	56.8W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	Thin-PAK (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	6.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V