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IPP12CNE8N G

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPP12CNE8N G
Descrição: MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.9mOhm @ 67A, 10V
Dissipação de energia (Max) 125W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 85V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4340pF @ 40V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 70 pcs

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