Image is for reference only , details as Specifications

IPP60R1K4C6XKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPP60R1K4C6XKSA1
Descrição: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Dissipação de energia (Max) 28.4W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 600V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 51 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

IPI65R150CFDXKSA1
Infineon Technologies
$0
IPI65R099C6XKSA1
Infineon Technologies
$0
IPD65R250C6XTMA1
Infineon Technologies
$0
IPA65R099C6XKSA1
Infineon Technologies
$0
IRF8327STR1PBF
Infineon Technologies
$0