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IPP65R190CFDXKSA2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPP65R190CFDXKSA2
Descrição: HIGH POWER_LEGACY
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™ CFD2
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 700µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
Dissipação de energia (Max) 151W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 17.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 66 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.84 $1.80 $1.77
Mínimo: 1

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