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IPP65R660CFDXKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPP65R660CFDXKSA1
Descrição: MOSFET N-CH 650V 6A TO220
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipação de energia (Max) 62.5W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 615pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 58 pcs

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