Image is for reference only , details as Specifications

IPS118N10N G

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPS118N10N G
Descrição: MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série OptiMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max) 125W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4320pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 98 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Citação de solicitação

Preencha o formulário abaixo e entraremos em contato com você o mais rápido possível

Bargain Finds

IPS110N12N3GBKMA1
Infineon Technologies
$0
IPP90N06S4L04AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP90N06S404AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP80P03P4L07AKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP80N06S4L05AKSA1
Infineon Technologies
$0