IPS80R2K4P7AKMA1
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IPS80R2K4P7AKMA1 |
Descrição: | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | CoolMOS™ P7 |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tube |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 800mA, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 22W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | PG-TO251-3 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 800V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 500V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 1490 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.85 | $0.83 | $0.82 |
Mínimo: 1