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IPT029N08N5ATMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IPT029N08N5ATMA1
Descrição:	MV POWER MOS
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™ 5
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerSFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 108µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 150A, 10V
Dissipação de energia (Max)	168W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-HSOF-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	80V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6500pF @ 40V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	52A (Ta), 169A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V