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IPT60R080G7XTMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IPT60R080G7XTMA1
Descrição:	MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	CoolMOS™ G7
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerSFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 490µA
Temperatura operacional	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 9.7A, 10V
Dissipação de energia (Max)	167W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-HSOF-8-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	650V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1640pF @ 400V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V