Image is for reference only , details as Specifications

IPU09N03LA G

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IPU09N03LA G
Descrição:	MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	OptiMOS™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)	63W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	25V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1642pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V