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IPU80R1K0CEBKMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IPU80R1K0CEBKMA1
Descrição: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série CoolMOS™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3.6A, 10V
Dissipação de energia (Max) 83W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 800V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 100V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 5.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 50 pcs

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