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IRF100P219XKMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRF100P219XKMA1
Descrição:	TRENCH_MOSFETS
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	StrongIRFET™
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 278µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max)	341W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-247AC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	12020pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V