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IRF100P219XKMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IRF100P219XKMA1
Descrição: TRENCH_MOSFETS
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série StrongIRFET™
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 278µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max) 341W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247AC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 12020pF @ 50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Em estoque 300 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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