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IRF1902GPBF
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Folha de dados: | IRF1902GPBF |
| Descrição: | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | HEXFET® |
| Fet tipo | N-Channel |
| Embalagem | Tube |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet recurso | - |
| Parte Status | Obsolete |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 4A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max) | - |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 15V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
Em estoque 70 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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