IRF5801TRPBF
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IRF5801TRPBF |
Descrição: | MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | HEXFET® |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 360mA, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 2W (Ta) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | Micro6™(TSOP-6) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 200V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 88pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Em estoque 4268 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1