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IRF5803D2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IRF5803D2
Descrição: MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série FETKY™
Fet tipo P-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso Schottky Diode (Isolated)
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112mOhm @ 3.4A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2W (Ta)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 40V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Em estoque 95 pcs

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