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IRF5810
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Folha de dados: | IRF5810 |
| Descrição: | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP |
| Status rohs: | RoHS Compatível |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Série | HEXFET® |
| Fet tipo | 2 P-Channel (Dual) |
| Embalagem | Tube |
| Fet recurso | Logic Level Gate |
| Parte Status | Obsolete |
| Potência - Máximo | 960mW |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 6-TSOP |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
| Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
| Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 16V |
| Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 2.9A |
Em estoque 97 pcs
| Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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