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IRF5810TRPBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	IRF5810TRPBF
Descrição:	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	HEXFET®
Fet tipo	2 P-Channel (Dual)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Obsolete
Potência - Máximo	960mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número da parte base	IRF5810PBF
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores	6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.6nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 16V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.9A