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IRF640NLPBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRF640NLPBF
Descrição:	MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tube
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 11A, 10V
Dissipação de energia (Max)	150W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-262
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	67nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1160pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V