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IRF6603TR1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IRF6603TR1
Descrição: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série HEXFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) +20V, -12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso DirectFET™ Isometric MT
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores DIRECTFET™ MT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6590pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 27A (Ta), 92A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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