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IRF6668TR1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IRF6668TR1
Descrição: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série HEXFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso DirectFET™ Isometric MZ
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores DIRECTFET™ MZ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 80V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 88 pcs

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