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IRF6785MTR1PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRF6785MTR1PBF
Descrição:	MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	DirectFET™ Isometric MZ
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA
Temperatura operacional	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 4.2A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.8W (Ta), 57W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	DIRECTFET™ MZ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	3.4A (Ta), 19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V