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IRF7106

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	IRF7106
Descrição:	MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	HEXFET®
Fet tipo	N and P-Channel
Embalagem	Tube
Fet recurso	Standard
Parte Status	Obsolete
Potência - Máximo	2W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 1A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	20V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	3A, 2.5A