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IRF7341QTRPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: IRF7341QTRPBF
Descrição: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série HEXFET®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 2.4W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número da parte base IRF7341QPBF
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 55V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 5.1A

Em estoque 67 pcs

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