IRF7342D2PBF
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IRF7342D2PBF |
Descrição: | MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | FETKY™ |
Fet tipo | P-Channel |
Embalagem | Tube |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | Schottky Diode (Isolated) |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 3.4A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 2W (Ta) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 55V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Em estoque 79 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1