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IRF8313PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: IRF8313PBF
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série -
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Tube
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Potência - Máximo 2W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número da parte base IRF8313PBF
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 9.7A

Em estoque 95 pcs

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