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IRF8313PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	IRF8313PBF
Descrição:	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	-
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Tube
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Discontinued at Digi-Key
Potência - Máximo	2W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número da parte base	IRF8313PBF
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	9.7A