IRF8915TRPBF
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Folha de dados: | IRF8915TRPBF |
Descrição: | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Série | HEXFET® |
Fet tipo | 2 N-Channel (Dual) |
Embalagem | Cut Tape (CT) |
Fet recurso | Logic Level Gate |
Parte Status | Active |
Potência - Máximo | 2W |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Número da parte base | IRF8915PBF |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 20V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 10V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 8.9A |
Em estoque 7064 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.80 | $0.78 | $0.77 |
Mínimo: 1