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IRF9952PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: IRF9952PBF
Descrição: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série HEXFET®
Fet tipo N and P-Channel
Embalagem Tube
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Discontinued at Digi-Key
Potência - Máximo 2W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número da parte base IRF9952PBF
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3.5A, 2.3A

Em estoque 86 pcs

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