A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

IRF9Z24NSTRR

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRF9Z24NSTRR
Descrição:	MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	P-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	175mOhm @ 7.2A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3.8W (Ta), 45W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	55V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V