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IRFB4110PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IRFB4110PBF
Descrição: MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série HEXFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Temperatura operacional -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max) 370W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9620pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 3196 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.31 $3.24 $3.18
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