A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

IRFH5110TRPBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRFH5110TRPBF
Descrição:	MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4mOhm @ 37A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3.6W (Ta), 114W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3152pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	11A (Ta), 63A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V