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IRFH5110TRPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IRFH5110TRPBF
Descrição: MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série HEXFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Active
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4mOhm @ 37A, 10V
Dissipação de energia (Max) 3.6W (Ta), 114W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3152pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 11A (Ta), 63A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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