Image is for reference only , details as Specifications

IRFH5220TR2PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRFH5220TR2PBF
Descrição:	MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-VQFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99.9mOhm @ 5.8A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	200V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1380pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	3.8A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V