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IRFH7110TR2PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRFH7110TR2PBF
Descrição:	MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-TQFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5mOhm @ 35A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3.6W (Ta), 104W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	87nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3240pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	11A (Ta), 58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V