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IRFH7911TR2PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	IRFH7911TR2PBF
Descrição:	MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	HEXFET®
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Digi-Reel®
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Obsolete
Potência - Máximo	2.4W, 3.4W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	18-PowerVQFN
Número da parte base	IRFH7911PBF
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6mOhm @ 12A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 15V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	13A, 28A