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IRFHE4250DTRPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: IRFHE4250DTRPBF
Descrição: MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série FASTIRFET™
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Cut Tape (CT)
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 156W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 32-PowerWFQFN
Número da parte base IRFHE4250
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.75mOhm @ 27A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 32-PQFN (6x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 25V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1735pF @ 13V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 86A, 303A

Em estoque 66 pcs

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