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IRFHM792TR2PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: IRFHM792TR2PBF
Descrição: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série HEXFET®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Cut Tape (CT)
Fet recurso Standard
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 2.3W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-PowerVDFN
Número da parte base IRFHM792PBF
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 10µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 2.9A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 251pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 2.3A

Em estoque 63 pcs

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