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IRFHM792TRPBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	IRFHM792TRPBF
Descrição:	MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	HEXFET®
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Fet recurso	Standard
Parte Status	Active
Potência - Máximo	2.3W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Número da parte base	IRFHM792PBF
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 10µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195mOhm @ 2.9A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	251pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	2.3A