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IRFHM830DTR2PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRFHM830DTR2PBF
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-VQFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 50µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.8W (Ta), 37W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PQFN (3x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1797pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	20A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V