A imagem é apenas para referência, veja as especificações do produto

IRFHM8342TRPBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRFHM8342TRPBF
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Discontinued at Digi-Key
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 17A, 10V
Dissipação de energia (Max)	2.6W (Ta), 20W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	560pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V