Image is for reference only , details as Specifications

IRFHM8363TRPBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados:	IRFHM8363TRPBF
Descrição:	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série	HEXFET®
Fet tipo	2 N-Channel (Dual)
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Fet recurso	Logic Level Gate
Parte Status	Not For New Designs
Potência - Máximo	2.7W
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Número da parte base	IRFHM8363PBF
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.9mOhm @ 10A, 10V
Pacote de dispositivos de fornecedores	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1165pF @ 10V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	11A