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IRFP22N50APBFXKMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRFP22N50APBFXKMA1
Descrição:	PLANAR >= 100V
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Vgs (Max) Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Active
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / Caso	TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230mOhm @ 13A, 10V
Dissipação de energia (Max)	277W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-247AC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	500V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3450pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V