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IRFSL4229PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados: IRFSL4229PBF
Descrição: MOSFET N-CH 250V 45A TO-262
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série HEXFET®
Fet tipo N-Channel
Embalagem Tube
Vgs (Max) Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso -
Parte Status Obsolete
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Temperatura operacional -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 26A, 10V
Dissipação de energia (Max) 330W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-262
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 250V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4560pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Em estoque 50 pcs

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