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IRG8B08N120KDPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: IRG8B08N120KDPBF
Descrição: DIODE 1200V 8A TO-220
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT -
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 45nC
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 89W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-220-3
Condição de teste 600V, 5A, 47Ohm, 15V
Comutação de energia 300µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 20ns/160ns
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220AB
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A
Tempo de recuperação reverso (trr) 50ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 15A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 15A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 92 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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