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IRG8P50N120KD-EPBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - IGBTs - Single
Folha de dados: IRG8P50N120KD-EPBF
Descrição: IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - IGBTs - Single
Série -
Tipo IGBT -
Embalagem Tube
Tipo de entrada Standard
Carga da porta 315nC
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 350W
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / Caso TO-247-3
Condição de teste 600V, 35A, 5Ohm, 15V
Comutação de energia 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 35ns/190ns
Temperatura operacional -40°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-247AD
Vce (em) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
Tempo de recuperação reverso (trr) 170ns
Atual - Colecionador (Ic) (Max) 80A
Corrente - Colecionador Pulsado (Icm) 105A
Tensão - Repartição do Emissor de Colecionador (Max) 1200V

Em estoque 67 pcs

Preço de refreência ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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