IRL100HS121
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IRL100HS121 |
Descrição: | MOSFET N-CH 100V 6PQFN |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Digi-Reel® |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Active |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 6-VDFN Exposed Pad |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 10µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 6.7A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 11.5W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 6-PQFN (2x2) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 100V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 50V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Em estoque 6565 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1