IRLBD59N04ETRLP
Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoria de produto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Folha de dados: | IRLBD59N04ETRLP |
Descrição: | MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
Status rohs: | RoHS Compatível |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoria de produto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | HEXFET® |
Fet tipo | N-Channel |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) Vgs (Max) | ±10V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet recurso | - |
Parte Status | Obsolete |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Temperatura operacional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 35A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 130W (Tc) |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-263-5 |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 5V |
Drene para a fonte de tensão (Vdss) | 40V |
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2190pF @ 25V |
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Em estoque 56 pcs
Preço de refreência ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1