Image is for reference only , details as Specifications

IRLH5030TR2PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRLH5030TR2PBF
Descrição:	MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Cut Tape (CT)
Vgs (Max) Vgs (Max)	±16V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 150µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)	3.6W (Ta), 156W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PQFN (5x6) Single Die
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	94nC @ 10V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	100V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5185pF @ 50V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	13A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V