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IRLHM630TR2PBF

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoria de produto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Folha de dados:	IRLHM630TR2PBF
Descrição:	MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Status rohs:	RoHS Compatível

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoria de produto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	HEXFET®
Fet tipo	N-Channel
Embalagem	Digi-Reel®
Vgs (Max) Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Fet recurso	-
Parte Status	Obsolete
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-VQFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 50µA
Temperatura operacional	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)	2.7W (Ta), 37W (Tc)
Pacote de dispositivos de fornecedores	PQFN (3x3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss)	30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3170pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C	21A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V