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IRLHS6376TR2PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoria de produto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Folha de dados: IRLHS6376TR2PBF
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Status rohs: RoHS Compatível
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoria de produto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Série HEXFET®
Fet tipo 2 N-Channel (Dual)
Embalagem Digi-Reel®
Fet recurso Logic Level Gate
Parte Status Obsolete
Potência - Máximo 1.5W
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-VDFN Exposed Pad
Número da parte base IRLHS6376
Vgs (th) (Max) @ Id Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Pacote de dispositivos de fornecedores 6-PQFN (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
Drene para a fonte de tensão (Vdss) 30V
Capacitance entrada (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V
Atual - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C 3.6A

Em estoque 99 pcs

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